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瑞典隆德大学研制出效率13.8%的磷化铟(InP)纳米线太阳能光伏电池进行了报道，根据北京大学消息，该校物理电子学研究所“千人计划”教授徐洪起与瑞典、德国的科学家共同参与了这一研究合作，在采用外延生长III-V族半导体纳米线技术制作高性能光伏器件的研究上获得重要进展。

该研究成果以InP纳米线阵列作为核心光伏器件材料，通过优化掺杂工艺和结构设计，经科学家与工程师通力协作联合攻关后取得;所制成的原型器件的性能远高于采用相应的InP薄膜技术所制成的光伏器件，且具有用料少、易于向更高性能的多结器件扩展、与当代硅工艺兼容等显著优点。

徐洪起教授研究组近年来在开发研究新型半导体纳米线光伏器件的原理和技术方面做了许多探索工作。特别是他们最近提出的采用外延生长的应变纳米线异质结构的光伏器件制作工艺(Nano Letters, 2010, 10: 1108-1112; Advanced Materials, 2012, 24: 4692-4706)，获得国际学术界和工业界的重视。该工艺提出采用应变产生的压电场分离光激发产生的电子和空穴，取代传统光伏器件工艺中为制作p-n结所需的掺杂，从而有望大幅提高光伏器件的转化效率。

以上研究工作得到国家重大科学研究计划、国家自然科学基金等项目的支持。