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比利时研究机构IMEC于2010年7月13日宣布，通过采用外延生长制作的20μm厚结晶硅太阳能电池，实现了16.3％的单元转换效率。单元面积比较大，为70cm2。IMEC介绍说该单元目前正在美国旧金山市举行的半导体展会“Semicon West 2010”（2010年7月12～16日）上展示。

IMEC正在IMEC Industrial Affiliation Program（IIAP）这一开发项目中，开发两种新一代结晶硅太阳能电池（参阅本站报道）。一种是从铸锭上切割结晶硅晶圆后使用的整体型。另一种是通过外延生长在底板上形成结晶硅的型号。后者的特点是：虽然也在底板上采用了多晶硅晶圆，但晶圆质量不高也可使用，而且厚度大幅薄于整体型。

此次开发的单元制造工艺概要如下。首先，在底板上形成由多孔硅构成的光密封专用布拉格反射层。然后，通过CVD（化学气相沉积）法，按照p型BSF（Back Surface Field）、p型层以及n型层的顺序来层叠半导体层。最后，在表面进行等离子处理，形成用于光密封的凹凸。

IMEC在同样采用外延生长的同时，制作出了部材不同的两种单元。一种是采用高质量结晶硅底板，在电极中采用铜（Cu）布线的单元。另一种是采用通过名为UMG（Upgraded Metallurgic Grade）的冶金工艺制造的质量稍低的结晶硅晶圆，通过丝网印刷形成布线图案的单元。16.3％的转换效率是通过采用高质量结晶硅底板实现的。采用UMG硅晶圆的单元的转换效率为14.7％。IMEC的能源及太阳能业务总监Jef Poortmans表示，“如果用铜来封装布线图案，那么即便是采用低质量底板的单元，也可以将转换效率提高至可与现有结晶硅太阳能电池相竞争的水平”。