三洋采用涂布工艺制造薄膜硅型太阳能电池
来源：索比太阳能 日期：2010-9-13 作者：全球电池网 点击：
三洋薄膜硅型太阳能电池
三洋电机近日，首次公开了在薄膜硅型太阳能电池的部分制造工序中采用涂布工艺的成果。由于可减少真空工艺，因此有望降低制造成本。该公司还公开了使用1.1m×1.4m底板时，稳定化前的转换效率为10.4％的结果。
利用涂布工艺成膜的是ITO、Ag和硅，使用大日本网屏的线性涂布机（Line Coater）涂布三菱材料的纳米油墨后加热形成。非晶硅型膜和微晶硅膜与原来一样仍采用真空工艺。
组合使用涂布工艺在1.1m×1.4m底板上形成串联构造薄膜硅型太阳能电池时，稳定化前的转换效率达到了10.4％。Isc（短路电流）为1.40A，Voc（开放电压）为160.7V，FF（填充因子）为71.2％。
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